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微波介质陶瓷


分类

设计

基于该材料的介质谐振器天线在X波段(10.21GHz),阻抗匹配优异(VSWR=1.02)、辐射效率高(>90%),验证了其下一代通信应用潜力,为高性能微波介质陶瓷设计提供新策略。
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热膨胀系数

(f)几种典型低介微波介质陶瓷的热膨胀系数
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在BaMg2Al6Si9O30(x=1.25)陶瓷中实现了兼具超低εr、高Q×f、近零τf和超低热膨胀系数:εr=5.84,Q×f=32,351GHz,τf=‒7.27ppm/°C,CTE=+1.07ppm/°C(‒150°C~+274°C),该陶瓷在宽温度范围内表现出超低热膨胀特性,打破了致密低介微波介质陶瓷的热膨胀系数纪录,并同时保持了优异的微波介电性能,展现出在6G毫米波通信领域中的应用潜力。
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材料

主要研究领域为新型电子信息功能陶瓷材料,专注于微波介质陶瓷材料与元器件的组成设计、结构与介电特性方面的研究工作。
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第一作者,王俊贤,安徽工业大学材料科学与工程学院在读硕士研究生,主要研究方向为微波介质陶瓷材料。
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主持国家重点研发课题和国家自然科学基金面上项目等20余项,已在国际权威期刊上发表学术论文200余篇,获授权发明专利20余项(1项美国专利),多项科研成果解决了“卡脖子”难题并实现了“进口替代”,其中1项成功应用于国家重要装备中,“低温烧结微波介质陶瓷材料、工艺、器件的全套关键技术及应用”获2024年度中国发明协会发明创业成果奖一等奖。
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开发

该研究成果为新型高Q×f和近零τf的微波介质陶瓷的开发提供了新思路。
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Q×f

安徽工业大学李家茂课题组:熵效应策略调控石榴石型微波介质陶瓷的Q×f和τf-清华大学出版社学术期刊的博文安徽工业大学李家茂课题组:熵效应策略调控石榴石型微波介质陶瓷的Q×f和τf精选
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