烧结温度
分类
降低
(1)CCSV基体陶瓷在1160°C下相对密度为93.7%，通过熵效应策略制备的CZMC中熵陶瓷的致密度升高，且烧结温度降低。
文章
4、研究结果及结论(1)CCSV基体陶瓷在1160°C下相对密度为93.7%，通过熵效应策略制备的CZMC中熵陶瓷的致密度升高，且烧结温度降低。
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烧结温度的降低可能是熵效应产生的晶格畸变造成更多的缺陷，这些缺陷作为扩散途径减少原子运动的能垒，使其更容易扩散，从而降低烧结温度。
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效果
（2）微波冷烧结所制备的陶瓷材料在保持优异力学和电学性能的同时降低烧结温度225-500°C、缩短烧结时间12.8-21.5小时，烧结能耗相比其他无压烧结技术显著降低97%以上。
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(1)CCSV基体陶瓷在1160°C下相对密度为93.7%，通过熵效应策略制备的CZMC中熵陶瓷的致密度升高，且烧结温度降低。
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4、研究结果及结论(1)CCSV基体陶瓷在1160°C下相对密度为93.7%，通过熵效应策略制备的CZMC中熵陶瓷的致密度升高，且烧结温度降低。
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烧结温度的降低可能是熵效应产生的晶格畸变造成更多的缺陷，这些缺陷作为扩散途径减少原子运动的能垒，使其更容易扩散，从而降低烧结温度。
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