热膨胀系数

大离子Ge4+对Si4+的取代增加了BaMg2Al6Si9-xGexO30(0.25≤x≤2)陶瓷的晶胞参数，同时伸长了Si/Al(1)-O键，Si/Al(1)-O(1)键的伸长促使Si/Al(1)-O(1)-Si/Al(1)角度(σ2)的下降，σ2的降低会抑制O(1)2-离子的振动，从而实现对热膨胀系数的调控。

(f)几种典型低介微波介质陶瓷的热膨胀系数

在BaMg2Al6Si9O30(x=1.25)陶瓷中实现了兼具超低εr、高Q×f、近零τf和超低热膨胀系数：εr=5.84,Q×f=32,351GHz,τf=‒7.27ppm/°C,CTE=+1.07ppm/°C(‒150°C~+274°C)，该陶瓷在宽温度范围内表现出超低热膨胀特性，打破了致密低介微波介质陶瓷的热膨胀系数纪录，并同时保持了优异的微波介电性能，展现出在6G毫米波通信领域中的应用潜力。