氧空位
分类
浓度
图4a展示了四种典型的氧空位构型，结合碘量滴定和TGA的结果显示，Nd掺杂提高了SNFO中的氧空位浓度，且优先在空位2中形成空位，其形成能比未掺杂的SFO相比降低至0.01eV。
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结果显示，Nd3+掺杂使晶胞参数和体积减小，氧空位浓度增加；
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较小的Rp和Ea值表明SNFO阴极不仅电催化性能卓越，还能降低电极反应的能量势垒。
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形成
(1)Nd3+在Sr3Fe2O7−δ（SFO）中引发晶格收缩，从而增加氧空位的形成与吸附能力。
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3、文章亮点(1)Nd3+在Sr3Fe2O7−δ（SFO）中引发晶格收缩，从而增加氧空位的形成与吸附能力。
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DRT分析表明，中频氧分子吸附—解离是ORR主要控速步骤，DFT结果显示，SNFO降低氧空位形成能，提升O2吸附能力，为SOFC阴极材料提供可靠选择。
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图3a展示了700℃下SFO和SNFO阴极的电化学阻抗谱，SNFO和SFO电极的Rp值分别为0.20和0.41Ωcm2，表明SNFO阴极具有更优异的电催化性能。
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当温度超过300℃时，失重主要源于晶格氧的释放和氧空位的形成。
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MoO3-x
富氧空位MoO3-x（MoO3-x-R）在22℃下表现出显著增强的TMA传感性能，包括高响应（0→7.6@20ppm）、快速响应/恢复速度（60/90s）、出色的选择性、低检测限（LOD-400ppb）和超过28天的运行稳定性。
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效果
(3)DFT计算验证，Nd掺杂可将氧空位能降低至0.01eV。
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(a)SFO和SNFO样品的XRD衍射图谱。
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DRT分析表明，中频氧分子吸附—解离是ORR主要控速步骤，DFT结果显示，SNFO降低氧空位形成能，提升O2吸附能力，为SOFC阴极材料提供可靠选择。
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图4a展示了四种典型的氧空位构型，结合碘量滴定和TGA的结果显示，Nd掺杂提高了SNFO中的氧空位浓度，且优先在空位2中形成空位，其形成能比未掺杂的SFO相比降低至0.01eV。
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(1)Nd3+在Sr3Fe2O7−δ（SFO）中引发晶格收缩，从而增加氧空位的形成与吸附能力。
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3、文章亮点(1)Nd3+在Sr3Fe2O7−δ（SFO）中引发晶格收缩，从而增加氧空位的形成与吸附能力。
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结果显示，Nd3+掺杂使晶胞参数和体积减小，氧空位浓度增加；
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