SrBi2Ta2O9

一、导读近期，哈尔滨工业大学柯华教授团队通过模板晶粒生长(TGG)技术结合流延成型法，制备出织构度高达f=0.985的择优取向SrBi2Ta2O9陶瓷，面内剩余极化达到15.83μC×cm-2，较随机取向陶瓷提升197%。

图1织构SrBi2Ta2O9陶瓷的物相与微观结构表征

图1织构SrBi2Ta2O9陶瓷的物相与微观结构表征2、铁电性能：a-b面电滞回线测得剩余极化Pr=15.83μC×cm-2，矫顽场Ec=24.18kV×cm-1(图2(c))，较随机取向陶瓷(5.33μC×cm-2)提升197%；

图2织构SrBi2Ta2O9陶瓷的介电与铁电性能

图2织构SrBi2Ta2O9陶瓷的介电与铁电性能3、Ca掺杂效应：随x增加，XRD中(115)峰微弱出现，织构度仍达到0.917(图3(d))；

图3Ca掺杂织构SrBi2Ta2O9陶瓷的理论自发极化计算与结构表征

图3Ca掺杂织构SrBi2Ta2O9陶瓷的理论自发极化计算与结构表征图4Ca掺杂织构SrBi2Ta2O9陶瓷的介电与铁电性能4、漏电流与能带：I-V曲线(图4(h))显示x=0.4时面内漏电流密度降至5.924×10-7A×cm-2(@50kV×cm-1)；

图4Ca掺杂织构SrBi2Ta2O9陶瓷的介电与铁电性能

图5Ca掺杂织构SrBi2Ta2O9陶瓷的理论电子能带带隙计算和变温电导率表征

近期，哈尔滨工业大学柯华教授团队通过模板晶粒生长(TGG)技术结合流延成型法，制备出织构度高达f=0.985的择优取向SrBi2Ta2O9陶瓷，面内剩余极化达到15.83μC×cm-2，较随机取向陶瓷提升197%。

4、机理清晰，理论实验互证第一性原理计算表明，SrBi2Ta2O9的带隙随着Ca掺杂增大，抑制了载流子迁移；

图5Ca掺杂织构SrBi2Ta2O9陶瓷的理论电子能带带隙计算和变温电导率表征