MXene纳米片

相比之下，LMP/MXene/HPU复合材料在25.3eV处出现了额外的Ga–O峰，而这一特征在原始LMPs和LMPs/HPU中均未观察到，表明MXene的引入促使形成了Ga–O–Ti桥接结构，说明LMPs与MXene纳米片之间存在较强的界面相互作用。

III杂化微颗粒的应变激活特性在印刷的杂化微颗粒中，LMPs在MXene纳米片的包裹和桥接作用下形成连续交联网络，这是实现低应变导电激活的关键(图3)。

在印刷的杂化微颗粒中，LMPs在MXene纳米片的包裹和桥接作用下形成连续交联网络，这是实现低应变导电激活的关键(图3)。