2-FAS

这与2-FAS苯环和SAM之间的π–π相互作用及缺陷钝化有关。

反溶剂淬火后，2-FAS样品的PL信号迅速增强，表明中间层有利于钙钛矿结晶。

图2g–i的GIWAXS图像表明各样品具有相近的相组成，但2-FAS样品中的PbI₂衍射环明显减弱。

EIS谱显示，2-FAS器件的复合电阻增大，表明界面复合受到抑制；

图4b的J–V曲线显示，2-FAS器件的开路电压和填充因子均高于对照器件，获得26.21%的冠军效率和86.15%的填充因子。

图4f的氮气储存测试中，未封装2-FAS器件在4500h后保持初始效率的90.06%。

III三重桥联与协同钝化：2-FAS分子在SAM/钙钛矿界面的多重作用机制

图3系统呈现了2-FAS分子在SAM/钙钛矿界面处的多重作用。

实验与理论计算表明，2-FAS分子中的磺酸根与Pb²⁺配位，可调控结晶并钝化缺陷；

综合来看，2-FAS通过调控结晶、改善埋底界面形貌并降低残余应力，提升了薄膜的结构完整性和光电质量。

EIS谱显示，2-FAS器件的复合电阻增大，表明界面复合受到抑制；

钠离子填补A位空位：2-FAS中的Na⁺可占据钙钛矿晶格中的A位空位，抑制离子迁移和相变，从结构层面提升器件稳定性。

III三重桥联与协同钝化：2-FAS分子在SAM/钙钛矿界面的多重作用机制

图3系统呈现了2-FAS分子在SAM/钙钛矿界面处的多重作用。

这与2-FAS苯环和SAM之间的π–π相互作用及缺陷钝化有关。

构筑分子桥联界面：在自组装单分子层(SAM)与钙钛矿埋底界面引入2-甲酰基苯磺酸钠盐(2-FAS)，通过苯环与SAM的π–π堆叠及磺酸根与Pb²⁺的配位作用，同步促进空穴传输并钝化缺陷，最终实现26.21%的光电转换效率。