质子

(f)晶格氧位点示意图与关键缺陷、质子迁移能垒对比。

2、电子结构优化同步改善氧缺陷形成和质子相关过程：DFT表明，更有利的Fe-O电子结构降低了氧空位形成、水合相关质子引入以及质子迁移的能量代价，同时降低ORR中间体相关反应步骤的自由能变化。

质子平衡时间仅需150s（LSMO需1500s），质子迁移能力提升一个数量级。

这些结果表明，Fe基电子结构调控不仅影响材料的电子输运，而且能够进一步作用于氧和质子相关的多种传输过程。

这一组对照实验清楚地说明：在本文研究的BCSCe2体系中，连续质子传导通道对性能的贡献，可能超过了额外比表面积的贡献。

这两类路径对微观结构的要求是不同的：前者可能受益于高比表面积，后者则更需要连续、低阻碍的质子传导通道。

2、电子结构优化同步改善氧缺陷形成和质子相关过程：DFT表明，更有利的Fe-O电子结构降低了氧空位形成、水合相关质子引入以及质子迁移的能量代价，同时降低ORR中间体相关反应步骤的自由能变化。