界面

本研究通过在SAM/钙钛矿埋底界面引入磺酸盐分子桥联层，实现了界面附着、缺陷钝化和电荷传输的协同优化。

系统研究表明，2-FAS中的苯环可通过π–π堆叠与SAM分子形成稳定相互作用，从而增强界面附着力并构建空穴传输通道；

共格界面键交换Si3N4纳米柱约32%；

总结多尺度材料设计策略：从“降低位错形核势垒、提高变形协调性、抑制裂纹优先扩展”出发，归纳位错播种与高温预加载、空位/层错/孪晶调控、共格界面键交换、层状与互锁结构、多相复合、非晶—晶体协同、纳米晶化以及电场/电流辅助等路线。

为解决这一瓶颈，研究者尝试在SAM与钙钛矿之间插入功能中间层，以期同步改善物理接触、促进电荷转移并钝化界面缺陷。

其磺酸根(-SO₃⁻)则作为路易斯碱，与钙钛矿中未配位的Pb²⁺发生配位，有效钝化界面缺陷，并调节钙钛矿结晶过程、减少晶界和残余应力。

暗态J–V曲线中的反向饱和电流密度降低，与界面缺陷和漏电流减少相一致。

在传统HMEGs中，水凝胶与电极接触不紧密，易产生气隙并增加电阻，抑制电输出；

甘油的引入暴露出更多的氢键官能团，增加了水凝胶与电极之间的有效接触位点，从而显著增强了界面粘附性。

针对可拉伸水凝胶湿气发电机中因水凝胶与电极界面粘附较弱而导致的电输出性能不足及机械稳定性差等问题，哈尔滨工业大学田艳红团队提出了一种通过调控功能层间界面粘附性来提升器件性能的界面工程策略。

有限元分析进一步表明，强界面粘附能够有效均匀化三明治结构器件内部的应力分布；

然而，完全可拉伸的水凝胶湿气发电机(FSHMEGs)面临功能层间界面粘附弱的关键问题，导致在复杂形变下电输出低且机械性能脆弱。

HAH通过引入甘油，减弱聚合物链周围的水化层，暴露出更多促进氢键与界面粘附的官能团，从而增强水凝胶的粘附性。

III界面粘附增强离子传输机理分析

III界面粘附增强离子传输机理分析本研究结合AIMD模拟与DFT计算，揭示了离子在高粘附性水凝胶-电极界面上的快速迁移机制。

甘油的引入增强了界面粘附，构筑出强韧耐用的水凝胶-电极界面，从而降低了界面电阻，并防止大变形下的分层失效。

简而言之，甘油对水的强亲和力破坏了PAA链周围的水合层，促使分子链伸展并暴露出可形成分子间氢键的官能团，从而增强界面粘附力。

该器件将溶胀于水-甘油二元溶剂中的粘附性水凝胶集成于液态金属与可拉伸银电极之间，形成全可拉伸结构。

另一方面，需深入探究2D/3D异质结界面电荷转移动力学、缺陷态调制等基础物理机制，发展具备原位数据处理能力且与系统集成兼容的新型智能光电传感架构，推动从单个器件向模块化、芯片级乃至系统级实现的转化。

IIHS-Cu@Zn界面的去溶剂化动力学与Zn2⁺沉积行为

IHS-Cu@Zn负极的界面工程与结构表征

这说明HS-Cu@Zn负极界面稳定性优于裸锌。

研究结果表明，“亲锌-疏水”界面具有优异的锌离子导电性和界面电荷转移能力，增加了锌负极的循环稳定性及可逆性。

“诱导同质结”界面的形成机理及钠硫电池转化动力学的改进分析。

研究选择具有相近咔唑骨架、但烷基间隔长度、偶极和空间构型不同的2PACz与氯取代类似物2Cl-4PACz，通过混合涂布(BC)和顺序涂布(SC)构筑共组装界面。

掺杂位点和阳离子空位各自的调控导致相邻碳化钼晶体的能带结构发生异质性的变化，此种不对称的能带结构促使载流子定向迁移，伴随着能带弯曲的过程，最终诱导高活性同质结界面的形成。

同质结界面：含量调控。

在同一种Mo₂C材料中，这种不对称的能带结构促使电子/空穴定向地迁移，直至费米能级持平而终止，伴随着能带弯曲的过程，诱导了同质结界面的形成。

通过一种简单的酸刻蚀工艺改变掺杂金属量和钼空位的密度，随着刻蚀程度的加大，两者呈现反向的变化，进而调整其相对比例，扩大同质结界面的丰度，最大程度地发挥同质结的效应。

4.1.2固态电解质界面副反应抑制策略

4.1.3固态电解质界面接触优化及多功能复合方案

上述结果表明，去除导电添加剂可有效抑制界面副反应、稳定负极-固态电解质界面，但该方案也会牺牲电极内部电子传导能力，存在性能权衡。

石墨、硅等传统负极材料在负极-固态电解质界面存在较大界面阻抗，加剧动力学受限问题，造成锂离子输运迟缓、极化增大。

移除促进电解质分解的碳添加剂，能够有效抑制负极/固态电解质界面的分解行为。

表面保护层、人工中间相可以稳定活性物质‑固态电解质界面，抑制副反应，但是额外的包覆层会增大离子迁移阻力。

负极是决定全固态电池低温性能的关键，负极与固态电解质界面的离子输运与电荷转移具有显著温度依赖性。

同时，研究深入分析了固态电解质界面的动态演变过程、锂离子传输动力学特性、失效机理，并提出了机械性能方面的创新策略。

深入探讨固态电解质界面、锂离子传输动力学及机械性能方面的失效机理与创新策略。

(2)异质结界面能活化多硫化物并降低反应能垒；

DFT计算进一步揭示，异质结界面引发了显著的电子重分布(图3h-j)，结合晶体轨道汉密顿布居(pCOHP)分析，其S-S键的削弱程度(iCOHP值)较单组分材料更显著。

WL₃边的X射线吸收近边精细结构(XANES)中对应于W-O和W-W/Co的峰也证实了异质结界面的形成。

此外，计算和实验验证CoWO₄和WO₂之间具有的功函数差异会驱动电子从WO₂向CoWO₄迁移，从而在异质结界面处产生内建电场，这将有利于硫转化反应的进行。

为此，界面工程成为调控器件性能的关键补充，界面工程不仅能够调制层间相互作用，还能有效调节界面处的载流子转移动力学。

在肖特基型结构中，超薄界面层的插入在异质结界面引入了额外的隧穿势垒，载流子注入需要通过隧穿进行。

界面工程着眼于异质结界面的实际接触质量，通过引入超薄钝化层、隧穿层或功能中间层来实现的界面工程可以有效降低界面态密度并缓解费米级钉扎，从而恢复或精确调整预期的能带对齐。

deXiaohuiZeng本文通讯作者亥姆霍兹海岸研究中心洪堡博士后研究员▍主要研究领域水系可充电电池、镁金属阳极、固体电解质界面与电解液界面化学。

图10汇集乙酸、5-磺基水杨酸盐、PSS/RGO等代表性体系，显示不同组分可分别调节Mg²⁺络合、放电产物沉积和界面活化。

总体来看，锰体系中多价态转化所带来的反应复杂性以及电极/电解液界面的不稳定性，仍然限制了其性能的进一步提升与实际应用。

(e)裸铝箔与石墨烯包覆铝箔分别和LIC电解质的界面结合能模型；

(g)低钴NCM与LTOC电解质界面结构示意图；

专注各类无机固态离子导体的设计与可控制备，涵盖硫化物、氧化物、卤化物固态电解质体系，重点攻克低温环境下电解质离子传导效率低、电极-电解质界面副反应频发等关键难题，同步开展纳米储能功能材料开发，构建适配宽温域运行的全固态电池一体化改性方案。

二是抑制电极-电解质界面副反应，减少高阻分解物生成；

保护层与人工界面相能够抑制界面副反应、稳定负极-电解质界面，却可能阻碍锂离子传导、抬升低温界面阻抗，并引入更多非活性组分，牺牲能量密度。

聚合物/复合电解质界面兼容性好但模量低、非活性组分多，损害力学稳定性与体积能量密度。

电极/电解质界面持续发生副反应生成高阻钝化层；

如图一显示，HS-Cu@Zn的S2p光谱出现Cu–S键和C–S键特征峰，证实了巯基在铜纳米棒上成功组装，改变了锌负极界面的电荷分布，并实现了界面疏水作用。

工程化“亲锌-疏水”锌负极界面的构建与表征。

本研究采用了一种简单高效的协同界面工程策略，成功构建了“亲锌-疏水”的锌负极界面，从而降低了锌离子的脱溶剂化能并实现了更快的锌离子迁移。

这种双功能锌负极界面可促进锌沿(100)晶面均匀沉积，增强了锌离子脱溶动力学，并有效排除了锌负极表面的电活性水分子。

通过DFT模拟计算锌原子在不同表面的吸附能、水合锌离子的脱溶剂能，并测试锌成核势垒，研究表明富含亲锌位点的铜纳米层形成了超快离子扩散通道，而自组装硫醇疏水层通过调控锌负极界面的脱溶剂动力学过程，有效抑制了腐蚀反应和氢气析出现象。

I界面筑序与能级适配：2-FAS协同改善埋底界面物理接触与电荷输运

构建室温塑性机制全景图：系统归纳位错塑性、晶界滑移、孪生、应力诱导相变、非晶流动和界面滑移六类基本机制，讨论其载荷条件、尺度效应、优势与局限，并区分晶体内部产生的本征塑性与由晶界、相界和结构单元相对运动产生的外禀塑性。

该综述围绕“陶瓷能否在室温下实现真正塑性变形”这一核心问题，系统梳理位错滑移、晶界滑移、孪生、相变、非晶流动及界面滑移等变形机制，并总结缺陷工程、共格界面、层状与多相结构、非晶—晶体复合、纳米晶化和外场调控等设计策略。

陶瓷发生塑性变形的核心竞争关系，是位错、相变或界面滑移等不可逆变形过程能否在裂纹失稳扩展之前被激活。

可信的室温塑性结论应至少包含可重复的屈服或流动行为、卸载后的残余应变，以及位错运动、相变、孪生或界面滑移等直接微结构证据。

埋底界面形貌、导电性与能级结构。

综合来看，2-FAS通过调控结晶、改善埋底界面形貌并降低残余应力，提升了薄膜的结构完整性和光电质量。

哈工大田艳红等：界面工程策略构筑高输出可拉伸湿气发电机哈工大田艳红等：界面工程策略构筑高输出可拉伸湿气发电机精选

值得注意的是，基于HAH的FSHMEG在电压输出和耐久性方面均优于已有报道的可拉伸MEG，充分彰显了本界面工程策略在构建本质可靠且可形变的能源系统方面的有效性，为下一代可穿戴电子设备提供了有力支撑。

该性能优于其他基于先进材料设计的可拉伸MEGs，充分凸显了粘附性界面工程在提升电性能方面的关键作用。

反之，弱界面则易引发局部应力集中，从而导致界面失效。

该工作为钙钛矿埋底界面的分子工程设计提供了新的策略。

三者共同构成“化学钝化–电荷桥联–晶格稳固”的界面作用机制。