界面极化

2H/1T界面、硫空位和位错分别贡献界面极化与偶极极化，8–14GHz范围内的弛豫峰进一步证实了极化弛豫的重要作用。

综上，电场后处理通过d轨道电子迁移诱导晶格畸变，同步构筑2H/1T界面、硫空位及1T相导电网络，分别贡献界面极化、偶极极化和电导损耗，多种机制协同证明了该策略对吸波性能的优化作用。