PST陶瓷

图5直接法表征不同有序度PST陶瓷的电卡效应：（a）不同有序度样品在60kV/cm电场下的ΔT-T曲线；

为提升Ω，将不同温度烧结的样品在900°C下进行190小时退火处理，得益于适中的退火温度与时长，所有样品的Ω均显著提高，最终获得Ω=1的完全有序PST陶瓷。

本文通过初始烧结结合低温、长时间退火的工艺条件成功制备出高有序（Ω=1）PST陶瓷，并实现了有序度在大范围内连续调控，从原子尺度上表征高有序和低有序PST陶瓷中B位离子的晶格排布特点，系统研究了有序度对材料相变特征及铁电特性的影响规律，基于等温热流的电卡直接表征技术，构建了电场–温度相图，明确了电场和温度耦合作用下不同有序度PST陶瓷的相变行为。

然而，制备高有序PST陶瓷仍面临诸多挑战。

图2不同有序度PST陶瓷的原子尺度结构：（a）不同热处理条件下样品有序度变化；

图3不同有序度PST陶瓷的介电常数与热流曲线的温度依赖性：（a）介电常数；

图4不同有序度PST陶瓷的极化特性：（a）-5°C下不同有序度样品的极化强度–电场回线。

通过等温热流法直接测试不同有序度PST陶瓷的绝热温变–温度（ΔT-T）曲线（图5a）。

随着初始烧结温度升高，PST陶瓷的Ω逐渐降低，这是由于高温加剧了离子跃迁，破坏了Sc3+与Ta5+离子的有序排布。

本文通过初始烧结结合低温、长时间退火的工艺条件成功制备出高有序（Ω=1）PST陶瓷，并实现了有序度在大范围内连续调控，从原子尺度上表征高有序和低有序PST陶瓷中B位离子的晶格排布特点，系统研究了有序度对材料相变特征及铁电特性的影响规律，基于等温热流的电卡直接表征技术，构建了电场–温度相图，明确了电场和温度耦合作用下不同有序度PST陶瓷的相变行为。