C₄N/rGO

(b)在不同电解质中测试的C₄N/rGO电极在5mVs⁻1下的CV曲线。

C₄N/rGO电极在三电极系统中的电化学性能和反应动力学。

C₄N、C₄N/KB0.3、C₄N/KB0.45和C₄N/rGO0.45材料的比表面积(图2h和图2j)分别为587.8、712.9、798.5和388.6m2/g，大的比表面积有利于电解质的渗透和反应动力学。

C₄N是以3,3',4,4'-四氨基联苯(BPTA)和环己六酮八水合物(HKH)为前驱体，通过简单的缩合反应制得的，而C₄N/KB和C₄N/rGO电极材料则是在溶剂热条件下，C₄N在KB或GO基底上原位生长制备的。

为了进一步探讨电荷存储动力学，在2MNaOH电解液中对C₄N/rGO电极进行了连续CV测试，随着扫描速率从0.5mVs⁻1增加到5mVs⁻1，电容贡献的百分比从88%增加到96%(图3f-g)。

倍率性能和恒电流充放电(GCD)测试表明，C₄N/rGO电极的速率性能明显优于单独的C₄N(图3b-c)。

图4b显示了C₄N/rGO的充放电曲线，并通过原位傅立叶变换红外光谱和XPS检验了C₄N/rGO电极在不同充放电状态下的化学结构。

结果表明，在2MNaOH电解液中，C₄N/rGO电极具有低氧化还原电位(-0.905VVsAg/AgCl)、高比容量(268.8mAhg⁻1，0.2Ag⁻1)、超稳定和快速钠离子存储行为(216mAhg⁻1，20Ag⁻1)。

当电极材料C₄N/rGO分别在2MNaOH和0.1DMSO/2MNaOH电解质下进行CV试验时，后者的氢演化现象明显减弱，电化学稳定性窗口变宽(图6b)。