钙钛矿

下界面材料的晶格常数、热膨胀系数以及润湿性直接影响钙钛矿薄膜的质量，包括其结晶度、表面形貌以及光电性能。

作为钙钛矿成核与生长的位点，下界面在钙钛矿薄膜的形成过程中发挥着关键作用。

因此，下界面材料不仅需要具有高载流子迁移率和导电性，而且其能级还需要与钙钛矿薄膜相匹配，以防止载流子的积聚和复合。

因此，需要建立理论框架以理解钙钛矿薄膜在二维材料上的成核和结晶过程，以及光生载流子在此异质结中的传输机制。

尽管vdW外延生长已被证明在提升钙钛矿的晶粒质量和取向方面有效，但关于其生长机制和钙钛矿薄膜与二维材料形态、尺寸和厚度之间的定量关系仍然有限。

这种独特的相互作用有助于钙钛矿薄膜的外延生长，从而优化其结晶和取向。

(b)基于温度斜坡分布的二维强度-时间颜色面扫描，用以跟踪低维钙钛矿薄膜的降解过程。

(f)低维钙钛矿薄膜的1DGI-XRD图案。

他参与了多项关于开发和使用不同纳米尺度钙钛矿结构的光电器件的研究，探讨了这些材料在光电探测中的应用方法，并提出了改善稳定性和可扩展性的潜在解决方案。

总结了基于纳米尺度的钙钛矿材料的创新合成方法，以提高其稳定性和效率。

韩国首尔世宗大学SikandarAftab课题组探讨了由不同纳米级钙钛矿结构(包括量子点、纳米片、纳米棒、纳米线和纳米晶体)制成的光电子器件的开发和使用方法。

BM-TU分子苯环上的π电子共轭增强了TU的给电子能力，进一步延缓底界面钙钛矿的结晶，另外甲氧基位点的引入可以与Al₂O₃自组装，从而使BM-TU在钙钛矿溶液沉积时不会大量溶解形成体掺杂。

BM-TU在底界面处的锚定修饰延缓了此处钙钛矿的结晶，进而抑制了钙钛矿薄膜孔洞的产生，使得薄膜晶粒尺寸增加且晶界间更加紧凑致密；

由图可知BM-TU在底界面处的锚定修饰延缓了此处钙钛矿的结晶，进而抑制了钙钛矿薄膜孔洞的产生，使得薄膜晶粒尺寸增加且晶界间更加紧凑致密。

降低溶剂与PbI₂之间的加合物，同时使用TU延缓埋藏界面处钙钛矿的结晶是一种很有前途的备选策略。

III二维材料对钙钛矿电池下界面的调控

IV二维材料对钙钛矿电池上界面的调控

V二维材料作为钙钛矿电池的电极

上海交通大学王言博&韩礼元教授等在这篇综述中，系统总结了基于二维材料调控的钙钛矿电池的最新研究进展。

过去十年基于2D材料调控的钙钛矿电池发展的关键里程碑。

随后，分别从下界面、上界面和电极的角度，全面回顾了二维材料在钙钛矿电池中的应用，深入探讨了有助于提高器件效率和稳定性的机制。

在这篇综述文章中，作者系统总结了各类2D材料在钙钛矿电池下界面、上界面和电极中的研究进展，重点阐明了范德瓦尔斯异质结对于器件效率和稳定性的影响。

然而，受限于界面缺陷和易腐蚀的金属电极，钙钛矿电池仍面临运行稳定性等问题。

作者简介SikandarAftab本文通讯作者韩国首尔世宗大学教授▍主要研究领域长期致力于纳米尺度钙钛矿材料在光电探测器中的应用。

其研究主要集中在纳米尺度钙钛矿材料在光电探测器中的应用。

内容简介纳米技术的快速发展引发了人们对将纳米级钙钛矿材料应用于光电探测应用的极大兴趣。

此外，它强调了光电探测包括在光强度以外的维度上探测光场应用，并为未来的研究提供了潜在的途径，充分实现纳米级钙钛矿材料在最先进的光电探测系统中的潜力。

纳米技术的快速发展引发了人们对将纳米级钙钛矿材料应用于光电探测应用的极大兴趣。

长期致力于纳米尺度钙钛矿材料在光电探测器中的应用。

首尔世宗大学SikandarAftab等综述：下一代光电探测器的纳米级钙钛矿材料首尔世宗大学SikandarAftab等综述：下一代光电探测器的纳米级钙钛矿材料精选

WS₂在CsPbBr₃与金属氧化物基底之间起到了润滑作用，从而减轻了基底对钙钛矿晶格膨胀和收缩的限制，离子的迁移得到了显著抑制(图4d-f)。

卤素阴离子具有稳定软钙钛矿晶格的能力，从而在MXenes和钙钛矿层之间建立了一个坚固的界面(图10c)；

(a)低维钙钛矿的晶体结构。

II钙钛矿光电探测器：降解机理及长期稳定性解决方案图2a展示了低维Pn-Sn卤素钙钛矿的晶体结构。

图2a展示了低维Pn-Sn卤素钙钛矿的晶体结构。

基于(c)GQ法和(d)VQ法钙钛矿成核/生长模型示意图；

涂布法制备大面积钙钛矿薄膜过程普遍使用真空(VQ)和气淬(GQ)方式加速溶剂挥发诱导钙钛矿成核，同时伴随添加剂来优化中间相或作为牺牲剂辅助薄膜的结晶。

III基团的选择及其对于纳米尺度钙钛矿形貌的影响

III基团的选择及其对于纳米尺度钙钛矿形貌的影响如图4a所示，相应的铵阳离子和NC表面配体的脱质子酸之间的螯合作用是稳定性提升的原因。

(a)不同TU浓度下基于VQ法和GQ法钙钛矿器件的光伏参数统计；

基于(h)GQ和(i)VQ法制备TU钝化钙钛矿器件的TOF-SIMS。

II钙钛矿光电探测器：降解机理及长期稳定性解决方案

X总结在纳米钙钛矿光电探测器领域，光电应用的革命性发展前景广阔。

为了克服这些挑战并推进纳米级钙钛矿光电探测器，材料科学家、化学家和工程师之间的合作势在必行。

图6g显示了Yb³⁺掺杂的钙钛矿光电探测器在360-440nm范围内的响应度有效提升。

在纳米钙钛矿光电探测器领域，光电应用的革命性发展前景广阔。

随着该领域的发展，钙钛矿光电探测器将通过对创新合成技术、界面工程和器件架构的进一步研究，更接近商业可行性和实际应用。

然后，作者重点介绍了不同类型TPV的最新进展，特别关注溶液加工的薄膜光伏，包括金属卤化物钙钛矿光伏、有机光伏和胶体量子点光伏。

在涂布法制备大面积钙钛矿薄膜过程中，通常采用气体萃取(GasQuenching，GQ)和/或真空萃取(VacuumQuenching，VQ)工艺来加速溶剂挥发，进而获取优质的钙钛矿中间相。

如图5a所示，相较于单晶而言，多晶CsPbBr₃钙钛矿具有大量的表面缺陷以及晶界，这显著降低了钙钛矿的环境稳定性。

未来一段时间内的主要研究方向仍然是研究开发大面积，高效率，高稳定性的钙钛矿太阳能电池，推动该型电池产业化进程，为解决能源短缺，缓解环境污染等问题做出应有的贡献。

WS₂在CsPbBr₃与金属氧化物基底之间起到了润滑作用，从而减轻了基底对钙钛矿晶格膨胀和收缩的限制，离子的迁移得到了显著抑制(图4d-f)。

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BM-TU在底界面处的锚定修饰延缓了此处钙钛矿的结晶，进而抑制了钙钛矿薄膜孔洞的产生，使得薄膜晶粒尺寸增加且晶界间更加紧凑致密；

由图可知BM-TU在底界面处的锚定修饰延缓了此处钙钛矿的结晶，进而抑制了钙钛矿薄膜孔洞的产生，使得薄膜晶粒尺寸增加且晶界间更加紧凑致密。

这种结构一方面有利于钝化剂锚定在底界面上，在溶剂萃取阶段抑制钙钛矿底界面成核的同时减少溶剂残留，另一方面可以钝化钙钛矿本身底界面处未配位的Pb离子缺陷。

SnO₂-TI₃C₂Tₓ复合层促进了钙钛矿的垂直晶体生长，平均晶粒尺寸从约356纳米增加到1微米(图5a)；

为了建立碳电极与电荷传输层之间良好的电接触，从而最小化薄层电阻并促进钙钛矿太阳能电池的大规模制造，研究人员展示了一种创新的模块化方法。

III基团的选择及其对于纳米尺度钙钛矿形貌的影响如图4a所示，相应的铵阳离子和NC表面配体的脱质子酸之间的螯合作用是稳定性提升的原因。

同时由于钙钛矿前驱体溶液DMF较强的溶解作用，BM-TU并没有完全锚定在Al₂O₃衬底上，而是部分溶解到钙钛矿油墨中，参与到薄膜的结晶和生长。

作为钙钛矿成核与生长的位点，下界面在钙钛矿薄膜的形成过程中发挥着关键作用。