电子掺杂

先前的研究认为，二硒化钨对石墨烯系统超导性的增强可通过近邻效应引入的Ising自旋轨道耦合相互作用来解释，而超过泡利顺磁极限的空穴掺杂超导则是Ising自旋轨道耦合相互作用的直接结果。

具体来说，空穴掺杂的超导态违反了泡利顺磁极限，而电子掺杂的超导性则始终遵循该极限。

令人惊讶的是，在选定的超导转变温度和临界垂直磁场下，尽管超导性质相似，空穴掺杂超导和电子掺杂超导在平行磁场依赖性上表现出截然不同的行为。

尽管本研究通过费米面分析在导带中观测到明显的Ising自旋-轨道耦合相互作用，但电子掺杂的超导电性却未违反泡利顺磁极限。

这一发现表明，二硒化钨对双层石墨烯中超导性的增强效果可能不仅仅来自于Ising自旋轨道耦合相互作用引入的近邻效应。

实验结果显示，空穴和电子掺杂的超导正常态对应于部分极化的费米面情况。

研究还对比了双层石墨烯中电子掺杂超导和空穴掺杂超导的性质。

实验测量显示，空穴掺杂条件下的最高超导转变温度约为450mK，而在电子掺杂条件下则为约300mK，这也创下了目前单晶石墨烯系统中的最高超导转变温度记录。

更为重要的是，他们在实验中首次观察到了在电子掺杂条件下的超导现象，这在单晶石墨烯中尚属首次。

结果显示，在较高位移电场下，双层石墨烯无论是空穴掺杂还是电子掺杂均表现出一系列自发对称性破缺态，这些态与能带的范霍夫奇点及电子-电子相互作用相关联。