热致荧光淬灭效应
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热致荧光淬灭效应
提出的配体调控策略成功抑制了FAPbBr₃纳米晶的热致荧光淬灭效应,使其在380K时仍能保持室温荧光强度的90%。
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值得注意的是,PEA和3-F-PEA的引入显著抑制了钙钛矿纳米晶薄膜的热致荧光淬灭效应。
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采用这种配体调控方法,合成出了具有均匀晶粒尺寸的高质量FAPbBr₃纳米晶,有效抑制了钙钛矿纳米晶薄膜的热致荧光淬灭效应。
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效果
发光器件在工作过程中不可避免会产生焦耳热,而热致荧光淬灭效应将导致其发光性能随温度升高而显著降低,这是发光材料与器件在实际应用中需要解决的关键问题之一。
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这不仅提高了FAPbBr₃纳米晶的荧光量子产率,还有效抑制了热致荧光淬灭效应,从而解决了钙钛矿纳米晶在温度升高时发光性能急剧下降的问题。
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