氮化硼陶瓷

这些残留tBN通过钉扎效应有效抑制了hBN晶粒在压力作用下的择优取向生长，最终使hBN片层随机堆叠形成三维互锁的卡屋式微观结构，成功实现了氮化硼陶瓷的结构与性能各向同性。

（2）揭示了各向同性氮化硼陶瓷的形成机理：高温下cBN颗粒表面发生键合重构，首先形成晶格扭曲的乱层氮化硼（tBN）；

针对这一难题，本研究提出“相变调控”策略：通过放电等离子烧结和热压烧结，利用高温下cBN向hBN的相转变，构筑出三维互锁的微观结构，实现了氮化硼陶瓷的各向同性。

残留在hBN层间的tBN通过“钉扎效应”有效抑制了晶粒在烧结过程的取向排列，最终构筑出三维互锁的微观结构，实现了氮化硼陶瓷的各向同性（IOP=1）。