有序

（3）Ω=1的高有序样品具有优异的低场电卡效应（ΔTmax=4.26K@60kV/cm&37°C）；

随着初始烧结温度升高，PST陶瓷的Ω逐渐降低，这是由于高温加剧了离子跃迁，破坏了Sc3+与Ta5+离子的有序排布。

为提升Ω，将不同温度烧结的样品在900°C下进行190小时退火处理，得益于适中的退火温度与时长，所有样品的Ω均显著提高，最终获得Ω=1的完全有序PST陶瓷。

本文通过初始烧结结合低温、长时间退火的工艺条件成功制备出高有序（Ω=1）PST陶瓷，并实现了有序度在大范围内连续调控，从原子尺度上表征高有序和低有序PST陶瓷中B位离子的晶格排布特点，系统研究了有序度对材料相变特征及铁电特性的影响规律，基于等温热流的电卡直接表征技术，构建了电场–温度相图，明确了电场和温度耦合作用下不同有序度PST陶瓷的相变行为。

然而，制备高有序PST陶瓷仍面临诸多挑战。

表明随着有序度降低，PST陶瓷逐渐向弛豫铁电体转变（图3a）。

随着有序度减小，ΔTmax和电卡峰对应的温度（Tpeak）降低（图5b）。

随着电场继续升高至60kV/cm，Ω=1样品在37℃获得巨大的绝热温变ΔTmax=4.26K，电场诱导相变对应的相变焓为1.28J/g，相较于零电场下的相变焓（1.06J/g）有所增加，主要归因于高电场下电畴有序和偶极拉伸的贡献，促进了铁电–顺电相变的完整性。

本文通过初始烧结结合低温、长时间退火的工艺条件成功制备出高有序（Ω=1）PST陶瓷，并实现了有序度在大范围内连续调控，从原子尺度上表征高有序和低有序PST陶瓷中B位离子的晶格排布特点，系统研究了有序度对材料相变特征及铁电特性的影响规律，基于等温热流的电卡直接表征技术，构建了电场–温度相图，明确了电场和温度耦合作用下不同有序度PST陶瓷的相变行为。