忆阻器

忆阻器是电路元件中的重要补充

III高熵氧化物忆阻器的结构设计与突触模拟功能

III柔性忆阻器结构

f基于CdPS₃的忆阻器结构图；

h基于光纤的忆阻器结构，包括Ag/MoS₂/HfAlOₓ/CNT；

常见的柔性忆阻器结构。

系统性地总结了柔性忆阻器的材料体系、发展历程、器件结构、应力模拟与应用。

本文建立了一个多尺度框架，涵盖了熵驱动的相稳定、缺陷和界面工程、电阻切换机制以及系统级集成，阐明了HEOs相比传统忆阻器材料的固有优势。

HEOs作为忆阻器材料，因其独特的多阳离子结构和高密度氧空位，展现出了独特的电阻切换特性。

与传统忆阻器材料相比，HEO忆阻器具有更高的稳定性、更低的能耗和更长的使用寿命。

文章还探讨了1T1R和1S1R交叉阵列设计在提升忆阻器性能方面的作用，并分析了低功耗忆阻器在这些网络架构中的性能表现。

IV柔性忆阻器的性能

通过材料掺杂与结构设计提升柔性忆阻器性能的多种策略。

因此，研究人员从未停止对MXene-Ti₃C₂Tₓ忆阻器性能优化的探索，并不断寻求提升性能的新方法。

这些前沿方法包括对掺杂工程、界面工程和结构工程的精确调控，旨在挖掘MXene-Ti₃C₂Tₓ忆阻器的潜力，并引领数据存储与计算技术的未来创新。

高性能的MXene-Ti₃C₂Tₓ忆阻器不仅能够实现高速数据传输，还能确保即时读取和长期稳定的数据存储。

本节最后，本研究系统性地阐述了基于MXene-Ti₃C₂Tₓ的忆阻器中所涉及的四种物理机制，并通过图8所示的比较框架对这些关键机制进行了多维度分析。

例如，Yan等提出了一种银纳米颗粒掺杂法来提升基于MXene-Ti₃C₂Tₓ忆阻器的电学性能。

受此趋势启发，基于MXene-Ti₃C₂Tₓ的忆阻器技术正迅速在内存计算领域崭露头角，为构建更高效、紧凑且响应迅速的感知与计算系统提供了新的物理基础和技术路径。

该研究提供了一种简便方法来提升MXene-Ti₃C₂Tₓ忆阻器的类脑特性，这将显著推动二维材料在类脑芯片领域的多元化应用，并大幅提升MXene-Ti₃C₂Tₓ材料的实用性。

这些结果表明，部分氧化MXene-Ti₃C₂Tₓ忆阻器具有优异的电阻切换性能、良好的记忆保持能力和适用于高密度存储与突触学习应用的大记忆窗口。

山东大学孟佳琳等综述：可穿戴神经形态计算忆阻器的柔性性能分析研究山东大学孟佳琳等综述：可穿戴神经形态计算忆阻器的柔性性能分析研究精选

IV高熵氧化物忆阻器在类脑系统中的集成与应用

广工大唐新桂等综述：面向神经形态计算的高熵氧化物忆阻器广工大唐新桂等综述：面向神经形态计算的高熵氧化物忆阻器精选

II高熵氧化物忆阻器的工作原理与机理

IHEO在忆阻器应用中的材料优势

这一结构特性使得高熵氧化物相比传统材料，在结构和性能上具有显著差异，尤其在忆阻器应用中展现出独特的优势。

V柔性忆阻器的应用

柔性忆阻器常见的结构包括三明治结构、交叉阵列结构和共面结构。

柔性忆阻器的常见器件结构包括交叉阵列结构、三明治结构和共面结构。

柔性忆阻器的常见弯折方式包括i扭转、j拉伸和k弯折操作。

为了在系统层面上充分发挥HEO忆阻器的优势，提出多尺度映射框架，将HEOs材料的物理行为与神经形态计算系统的需求对接。

I忆阻器介绍

I柔性忆阻器介绍

与之前使用CMOS构建神经元电路的尝试相比，基于忆阻器的人工神经元能显著降低功耗。

图7展示了柔性忆阻器在材料掺杂和结构设计上的改进方法，体现了其在降低工作电压、提升稳定性以及增强力学可靠性方面的潜力。

柔性忆阻器的快速发展极大促进了面向新兴神经形态计算的可穿戴电子技术进步。

系统阐释HEO忆阻器的阻变机理，聚焦空位迁移、相变及价态调控对性能提升的关键作用。

文章还探讨了1T1R和1S1R交叉阵列设计在提升忆阻器性能方面的作用，并分析了低功耗忆阻器在这些网络架构中的性能表现。