异质结构

根据SEM、TEM和HRTEM的结果证实了半导体-半导体-金属异质界面的存在，表明Mo-MXene/Mo-Sn硫化物异质结构的成功形成，同时为增强电子转移能力和界面极化提供帮助。

与其他样品相比，异质结构Co/Ni-CAs的碳基质与其负载的硫化物NPs之间的界面反应更强烈，进一步直接证实了多相异质界面形成。

由于Co²⁺和Ni²⁺的共同引入协同提高了硫空位浓度并促进了多相异质界面，对于富含空位的异质结构Co/Ni-CA，最佳RLmin增加到-48.3dB(图4d)，EAB扩展至6.76GHz(图4e、f)。

为了深入了解构建异质结构和硫空位在改善介电损耗方面的重要作用，根据密度泛函理论(DFT)计算和图5绘制了电荷分布结构和相应的态密度(DOS)。