器件

f-i不对称N2200聚合物的结构、器件载流子寿命、BR效率及PCE；

ISASE器件的设计与制备

SASE器件的设计与制备。

SASE器件的设计原理图如图1b所示，主要包括以下几个部分：(1)量子点(QDs)薄膜，光致发光材料作为光源；

bSASE器件的设计示意图；

图文导读ISASE器件的设计与制备器件的制备主要是通过常规的UV光刻工艺和热蒸镀工艺(图1a)，不依赖于精密的加工设备和复杂的加工过程。

因此，本综述聚焦近期柔性EC器件在可穿戴电子领域的最新进展，系统梳理了材料创新、器件结构设计、性能指标及应用实例等关键内容。

然而，现有关于柔性EC材料、器件结构设计及其应用的综述尚难全面覆盖快速增长的研究需求，特别是在实现动态自适应性与下一代系统无缝集成方面仍显不足。

近年来，随着新型纳米材料与器件结构的不断发展，平面EC器件的机械柔性显著提升，使其能够适配动态曲面及生物集成系统。

新的纳米材料和器件结构被用来实现EC器件/电极的柔性，尽管取得了长足的进步，但是复杂的器件结构导致实现高柔性EC件面临着巨大的挑战，例如，广泛应用在刚性EC器件中的电极材料（如ITO）在用作柔性电极时出现明显的性能衰减问题；

柔性平面EC器件结构也由初始的七层堆叠结构发展为更少层数的EC器件结构和横向结构（图2）。

然而，该领域仍面临诸如材料响应速度慢、稳定性不足以及器件结构设计复杂等关键挑战，限制了其实际应用与长期稳定运行。

重点介绍了柔性电致变色技术、器件结构和其在可穿戴电子设备中的应用进展。

鉴于EC器件与储能器件在多层结构设计和变色-储能机制上的高度相似性，通过合理的器件结构集成与材料优化，有望实现单一器件同时具备变色与储能双重功能（图6），进一步提升可穿戴设备的功能密度与用户交互体验。

（4）为兼顾性能与穿戴舒适性，EC器件结构需优化。

c-e器件结构的平面受体层的紧密堆积和载流子寿命的延长；

f-i供体和受体的吸收光谱、初级受体和供体的化学结构、混合膜的相位图像及器件结构。

图3c-e通过对比不同结构的聚合物，展示了平面受体层的紧密堆积和器件结构对载流子寿命的影响。

要实现高性能的柔性/可拉伸电化学发光器件，需要在器件组成、制备工艺以及应用开发等方面进行深入研究。

新一代发光显示器件应该是可拉伸、柔软、且明亮的，作为可拉伸/柔性发光显示器件的组成部分，对电极层和发光功能层都提出了较高要求。

(e)BHJ和自分层三元器件的示意图;

最后，总结并展望应用前景，旨在为柔性/可拉伸器件的研究和应用提供一定参考。

可通过使用栅电极从有机薄膜中引入或移除离子（图2b、c），利用电化学掺杂来调节器件的电阻。

效率增强策略：探究限制厚膜器件效率的机制，分析激子与载流子动力学，并确定有效提升器件性能的方法。

(f)本文综述中活性层厚度与器件效率关系的汇总图。

电荷的传输与平衡通常会受到活性层材料的分子结构、垂直相分布以及结晶度等因素的影响，高效且平衡的载流子迁移意味着电荷能够更快地从较厚的光活性层传输到电极，对优化电荷收集、提高器件效率等方面都有着重要的影响。

除了解决厚膜器件效率降低的问题，还应该考虑解决设备的稳定性和制备成本问题，以及人工智能(AI)应用机器学习(ML)来预测和分析材料组合的性能。

未来研究将聚焦于新型多功能材料、固态电解质、自适应电极结构与智能集成系统的开发，旨在提升器件性能、增强穿戴舒适性，并拓展应用场景的复杂性与多样性。

Cheng等人合成了含不同金属离子的一维π-d共轭配位聚合物(1DCCPs)用于ReRAM，结构的平面性和结晶度优化了电荷传输，降低了阈值电压，提升了器件性能。

对于CBCs方面，图5a-f展示了以PBDB-T-b-PYT为例的器件性能，其初始效率低于体异质结(BHJ)器件，经热退火和溶剂蒸汽退火优化后，PCE提升且稳定性保持良好。

本文讨论了分子工程中的关键概念和创新，重点介绍了提高器件性能的进步，特别关注光伏、有机场效应晶体管和非易失性存储器件。

紧密堆积的平面受体层有助于提高载流子寿命，进而提升器件性能。

除通过调控电场以限制导电丝状体增殖的聚合物器件外，利用金属-偶氮-芳香族化合物（图1b）（例如Fe或Ru配合物）的分子器件迄今为止已展现出最高的神经形态器件性能。

SASE器件的应用。

尽管在传统示例中尚未观察到器件尺寸的缩小，但鉴于近期光刻过程中MXene稳定性研究的进展，尺寸缩小可能是可行的。

本综述还调查了实现低功耗神经形态计算所面临的挑战，例如减小器件尺寸和提高开关时间。

因此，厚膜器件因其与大面积印刷技术兼容而成为实现大规模生产的关键。

计算得到(HtrzT)PbI₃(1.0)/FAPbI₃器件的增益因子达680。

钙钛矿器件X射线探测器性能测试，(HtrzT)PbI₃(1.0)/FAPbI₃器件灵敏度达182900μCGyair⁻1cm⁻2，较纯FAPbI₃器件提升15倍，优于多数已报道的钙钛矿多晶厚膜探测器(图5a-b)。

a二维材料传感器件的常用制备流程。

d基于纳米线和纳米棒材料的传感器件。

c其他多种结构的电容传感器件，包括微柱/微毛/微孔结构。

c通过多层结构集成电容传感阵列与摩擦电传感器的器件。

目前，触觉传感器器件的集成策略已得到广泛研究，涵盖3D层压技术、残余应力诱导组装、界面分层诱导组装、毛细管力诱导组装等多种方式。

高通量筛选与机器学习辅助设计进一步加快工艺优化，并结合原位掠入射X射线散射等表征手段，可深入理解薄膜生长动力学，为高性能、稳定的低维钙钛矿器件开发提供支撑。

2014年首个室温电致发光器件问世后，二维钙钛矿通过降低维度实现更优量子限域和可调带隙，推动了光电器件的发展。

一维钙钛矿因其高量子效率、显著的表面积与体积比、各向异性结构及优良载流子限制效应，而成为新型光电器件的重要研究对象。

上述低维钙钛矿纳米结构均已成功应用于高效光电器件，展现出巨大的应用潜力。

为此，通过构筑高有序排列的1D结构，可保持单体性质，同时提升表面均匀性、电流输出及器件可重复性，高度对齐的1D阵列在光伏器件中还具有优异光捕获与力学性能，利于大规模、高度集成光电器件开发。

二维钙钛矿因其优异的稳定性与可调光电性能，在光伏及其他光电器件中近年来受到广泛关注。

在晶体质量与缺陷密度方面，气相沉积优于机械剥离与溶液法，被认为更适合高性能光电器件。

总体而言，二维结构不仅改善了稳定性，还通过维度和层厚的精确调控，实现了光电性能的高度可设计性，为下一代光伏、发光及光电器件的发展提供了广阔前景。

溶液法不仅具备低成本、环境条件友好和异质层沉积可行性，还能实现胶体纳米结构的大规模生产，因此在光电器件制备中应用广泛。

过去三十年，纳米晶体、一维纳米线与二维量子阱等典型半导体结构的研究揭示了尺寸、结构与成分调控对光电特性的关键作用，为光电器件、传感与能源应用奠定了基础。

量子限域效应还赋予PQDs狭窄的发射线宽和接近100%的光致发光量子产率，这些特性为基于PQDs的光电器件应用提供了基础。

基于2D钙钛矿与石墨烯的光电器件及柔性SNO薄片光晶体管的结构、光电响应、机械稳定性、柔性性能、溶剂浓度对光响应的影响，以及偏振光和单色光下的光开关特性。

模板与溶液或气相方法结合，可精确调控纳米线几何形状、排列和尺寸，为高效光电器件提供可靠基础。

因此，设计了具有TiN/CeO₂/ZnO/ITO/Mica结构的新型光电忆阻器器件(图1b)。

本文探讨了制造基于共轭聚合物器件的当前挑战，以及预期的未来发展和不断增长的市场需求。

因此，如何在厚膜器件中实现高PCE是当下必须解决的挑战之一。

(b)薄膜和厚膜器件中激子与电荷载流子行为示意图。

II厚膜器件中的激子与载流子行为

如果电荷平衡被打破，会产生空间电荷积累区，在低电场区的电荷无法被及时收集，产生严重非辐射复合，则会直接影响厚膜器件的电流密度,进而影响器件的光伏性能。

然而，厚膜活性层虽然具有更强的光吸收能力，有利于提高光谱利用率和便利产业化制造，但厚膜中激子扩散寿命有限、电荷迁移率低和不平衡，以及电荷复合程度大，电荷收集效率低等问题严重，这些激子和电荷行为从根本上限制了厚膜器件的光电转换效率。

通过增加载流子迁移率和载流子寿命可以实现电荷收集效率的提高，从而增加厚膜器件的光电流。

柔性和可拉伸器件能够在较大应变下保持保持稳定的发光性能，成为新一代可拉伸可穿戴器件的有力竞争者。

近年来，柔性电子技术的快速发展正深刻变革人机交互与信息显示领域，可穿戴显示器件已经成为柔性电子领域的研究热点之一，通过快速发光实现对外部刺激的即时响应和信号反馈，在新一代智能柔性电子的可视化领域发挥着重要作用。

(c)多像素阵列的可穿戴显示器件。

文章不仅为高保真呼吸监测器件的构筑提供了新的思路和方法，也为可持续健康电子学的发展和分子尺度界面作用机理的研究提供了重要参考。

进一步探究分子限域策略对太阳能电池器件可重复性的影响。

随后，脱除tBTCA层以探究钙钛矿薄膜的表面均匀性。

三种器件均具备宽光谱响应能力(405-1310nm)，其中混合维异质结器件的暗电流明显降低，开关比相较NW和NS器件分别提升了294倍和122倍。

在1310nm激光照射下，NWs阵列/NS异质结器件在-3V偏压下表现出低暗电流(32nA)与高开关比(60)，相比NWs器件暗电流降低约600倍。

e摩擦电器件的结构与工作原理。

图6触觉传感器领域中的摩擦电机制a摩擦电器件的四种工作模式。

利用光突触器件模拟双脉冲易化(PPF)与双脉冲抑制(PPD)。

共轭聚合物(ConjugatedPolymers，CP)对电子和光子器件领域产生了重大影响,其机械柔韧性和可调谐带隙，以及易于加工且成本低，为器件制造和应用开辟了新的途径，包括有机发光二极管、有机光伏、有机场效应晶体管和生物电子学，特别适用于柔性和可穿戴设备。

aSASE器件的制备工艺；

器件的制备主要是通过常规的UV光刻工艺和热蒸镀工艺(图1a)，不依赖于精密的加工设备和复杂的加工过程。

在器件制备过程中，工艺参数(曝光剂量、显影时间和金属厚度)会对器件的结构产生影响，这其中包括侧壁宽度，侧壁倾斜角，发光峰间距，Ag薄膜厚度和侧壁Ag薄膜厚度(图2a)。

降低OPVs器件制备的敏感度，对于其产业化发展至关重要。

浙江大学陈红征、杭州师范大学尹守春&占玲玲等人基于厚膜有机光伏器件的制备技术和工作原理，重点讨论了激子的产生与扩散、激子解离、电荷的传输与平衡，及电荷复合与收集，这些影响光电流产生的重要过程，分别从材料设计和器件工程两方面，针对近几年厚膜有机光伏的研究进展进行分析和阐述。

界面负载聚合物层能够限制多个导电丝状体的传播（图1a），这一点通过导电原子力显微镜对导电区域的成像以及扫描电子显微镜对低阻态器件的分析得到了证实。

图3f-h展示了QDs、QDs/PP和SASE器件之间的光学性能差异。