包覆层

此外，热稳定的c-PAN包覆层与NCM811之间的配位键相互作用可以抑制Ni离子的迁移，不仅可以有效地减弱正极和固态电解质之间的有害副反应，构建的刚体型网络包覆层结构还可以提供均匀应力，解决正极体相结构降解的问题，改善其机械和电化学稳定性。

此外，得益于In-cPAN-260包覆层的优异抗氧化性，以及通过改变正极表面电化学环境进而有效抑制正极在循环过程中岩盐相的生成。

此外，热稳定的c-PAN包覆层与NCM811之间的配位键相互作用可以抑制Ni离子的迁移，不仅可以有效地减弱正极和固态电解质之间的有害副反应，构建的刚体型网络包覆层结构还可以提供均匀应力，解决正极体相结构降解的问题，改善其机械和电化学稳定性。

此外，热稳定的c-PAN包覆层与NCM811之间的配位键相互作用可以抑制Ni离子的迁移，不仅可以有效地减弱正极和固态电解质之间的有害副反应，构建的刚体型网络包覆层结构还可以提供均匀应力，解决正极体相结构降解的问题，改善其机械和电化学稳定性。

III循环后界面分析对循环后正极晶体结构的演变和界面层的成分进行了进一步的对比分析，证实了In-cPAN-260包覆层与NCM811间的Ni-N配位键合作用，可有效阻碍Ni离子迁移，保持正极材料较低的阳离子混排度，有效抑制了过渡金属的溶出，维持了其晶体结构的稳定性。

对循环后正极晶体结构的演变和界面层的成分进行了进一步的对比分析，证实了In-cPAN-260包覆层与NCM811间的Ni-N配位键合作用，可有效阻碍Ni离子迁移，保持正极材料较低的阳离子混排度，有效抑制了过渡金属的溶出，维持了其晶体结构的稳定性。