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亚微米光源

分类

影响

SASE器件的设计原理图如图1b所示，主要包括以下几个部分：(1)量子点(QDs)薄膜，光致发光材料作为光源；

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图2b-d展示了不同曝光剂量(150mJ/cm2、170mJ/cm2、190mJ/cm2和210mJ/cm2)对于亚微米光源的影响。

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发光线宽

为了更好地分析器件的结构参数如何影响亚微米光源的发光线宽，建立了SASE器件的数学模型。

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亚微米光源的发光线宽与各因素之间的关系。

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其它

进一步地，研究了亚微米光源的形成机制，其中PP层的侧壁角度是影响发光线宽的主要因素。

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