科学网—名家博士论文139：闪存之父施敏博士论文1963年斯坦福大学
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2026-4-20 06:56
| 个人分类: 名家博士论文 | 系统分类: 科研笔记
中国工程院官网对 施敏 (Simon Min Sze) 先生的介绍如下 ： 网址 https://www.cae.cn/cae/html/main/colys/87476508.html ， 工程和技术学领域的成就 在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET ）技术的研发中，施博士的贡献具有奠基性和开创性的意义。尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器（ NVSM ），影响深远，随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器（ EEPROM ）在内的大量储存设备。 NVSM 的问世，促成了功能更为强大的信息储存技术的发展，它们应用广泛，人类受益无穷。基于 NVSM 的系统提供了更便捷的沟通（如：移动电话），更方便的信息接收（便携式笔记本电脑和个人数字助理），互动性更强的教育（数字化教学媒体和电子图书），增强的贸易（智能 IC 卡系统），提高的卫生保健（便携式医疗仪器），更富于魅力的娱乐方式（ MP3 ，数码电视与 DVD ），以及极大改观的行车安全（自动刹车系统和全球定位系统）。 1990 年以来，所有的电子系统（除家用收音机和阴极射线管电视）都是建立在 NVSM2 基础之上。过去的 20 年里，装运发货的基于 NVSM 系统超过了 200 亿套。未来 10 年里，这一数字累计将达 600 亿。这也就意味着，全世界平均每人将拥有 8 个基于 NVSM 电子系统。
图 1 ：施敏
1963 年，施敏获得斯坦福大学博士学位。其博士论文题目为： HOT ELECTRONS IN THIN GOLD FILMS( 薄金膜中的热电子 ) ，论文全文： 施敏博士论文.pdf 。此文收录在科睿唯安的 ProQuest Dissertations & Theses Global (ProQuest 全球博硕论文数据库 ) 中，数据库中此文链接为： https://www.proquest.com/docview/302253199 。
1967 年，施敏与韩裔美国人姜大元 (Dawon Kahng) 休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动施敏与他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体 (MOSFET) 中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体 (Flash) ， 5 月两人在 The Bell System Technical Journal 上发表第一篇关于非挥发性内存的论文 “A floating gate and its application to memory devices” ，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术。此文收录在 SCI 数据库，入藏号 WOS:A19679724400011 ，截至 2026 年 3 月 24 日被引用 418 次。 The Bell System Technical Journal 1922 年创刊，是两人供职的贝尔实验室的期刊。此刊命运多舛，随着贝尔实验室更名多次，先后更名为 AT&T Bell Laboratories Technical Journal 、 AT&T Technical Journal 、 Bell Labs Technical Journal ，现已停刊，非常可惜。受益于贝尔实验室的辉煌，此刊刊载过很多重磅成果！
图 2 ： The Bell System Technical Journal 创刊号
施先生留世的，还有很多著作，其中最为经典的是 Physics of Semiconductor Devices ，《半导体器件物理学》(也翻译为 《半导体元件物理学》 )，经典中的经典，有很多语种和不同版本，据说学半导体的都知道这书。
图 3 ：施敏著作 Physics of Semiconductor Devices 第 1 版
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