3D电子维度

这项工作不仅验证了3D电子维度设计概念在提升PHE性能方面的巨大潜力，也为开发高效、稳定的新型TMS光催化剂开辟了新路径。

通过对3D电子维度结构的理性构建，以及基于本征硫配位导向合成的“可控光腐蚀”策略，研究人员正在逐步突破TMS光催化剂长期面临的载流子迁移率低与光稳定性差的瓶颈。

该项研究工作成功地将3D电子维度的优势拓展至更广泛的光催化领域，为设计基于3D电子维度TMS光催化剂的多场耦合催化系统提供了重要思路。

在模拟太阳光照射下，CuPbSbS₃无需任何助催化剂即展现出高达250.8μmolg⁻¹h⁻¹的PHE速率，其优异的性能源于材料本身独特的3D电子维度，有效抑制了体相复合。

基于此，进一步将这一概念延伸至实际的PHE体系，展示了具有3D电子维度的CsPbI₃与MoS₂构建的异质结。

这一过程深刻揭示了TMS光催化剂从追求性能到兼顾成本与环境友好性的设计思路转变，为后续3D电子维度与光腐蚀抑制的先进设计理念提供了清晰的背景和发展方向。

在模拟太阳光照射下，CuPbSbS₃无需任何助催化剂即展现出高达250.8μmolg⁻¹h⁻¹的PHE速率，其优异的性能源于材料本身独特的3D电子维度，有效抑制了体相复合。