Me-4PACz

TbCl₃掺杂对CsPbI₃薄膜光学和晶体结构稳定性的影响：a-b)空气环境下，分别在未掺杂和掺杂TbCl₃的Me-4PACz界面上制备的CsPbI₃薄膜的原位吸收光谱；

TbCl₃掺杂对钙钛矿太阳能电池性能的影响：a)基于是否掺杂TbCl₃的Me-4PACz界面的CsPbI₃太阳能电池能带排列示意图；

c-d)分别为有无TbCl₃掺杂的Me-4PACz界面退火过程中CsPbI₃中间相的原位吸收光谱；

c-d)分别在未掺杂和掺杂TbCl₃的Me-4PACz界面上制备的CsPbI₃薄膜在空气中存放5天后的XRD图谱。

通过掺杂稀土化合物TbCl₃，有效改善了Me-4PACz界面的润湿性和光电性能，进而促进了CsPbI₃钙钛矿薄膜的大晶粒生长及其致密平整性。

II埋底界面调控对钙钛矿薄膜形貌和结晶质量影响Me-4PACz中的长链烷基非极性基团(C₄H₈)使其具有高度疏水性，造成钙钛矿薄膜覆盖性较差。

Me-4PACz中的长链烷基非极性基团(C₄H₈)使其具有高度疏水性，造成钙钛矿薄膜覆盖性较差。

通过掺杂稀土化合物TbCl₃，有效改善了Me-4PACz界面的润湿性和光电性能，进而促进了CsPbI₃钙钛矿薄膜的大晶粒生长及其致密平整性。