复相中熵UHTCs

图2为复相中熵UHTCs样品50B/50C的SEM形貌相及元素分布情况。

图3展示了烧结后复相中熵UHTCs样品抛光面的背散射电子图像。

图3烧结后复相中熵UHTCs样品抛光面的背散射电子图像。

此外，所制备复相中熵UHTCs样品的致密度高于单相中熵(Zr,Hf,Ta)B2陶瓷与单相中熵(Zr,Hf,Ta)C陶瓷。

相较于单相中熵(Zr,Hf,Ta)B2陶瓷与单相中熵(Zr,Hf,Ta)C陶瓷，复相中熵UHTCs内部两相的晶粒尺寸均显著细化，说明(Zr,Hf,Ta)B2与(Zr,Hf,Ta)C之间相界面有效地抑制了烧结过程中的晶粒生长（图3）。

图250B/50C复相中熵UHTCs的SEM形貌相和对应的EDS元素分布情况。

图2为复相中熵UHTCs样品50B/50C的SEM形貌相及元素分布情况。