高密度

II全光刻工艺OTFT阵列：实现器件高密度集成与性能均一性突破如图2所示，研究团队通过实验验证了全光刻策略在高密度OTFT阵列构筑中的可扩展性，该阵列可稳定贴合于三维曲面，器件在微米尺度实现高度有序排布，最小沟道长度仅5μm。

同时，采用共享寻址引线结构设计，有效降低了阵列布线复杂度，为高密度集成提供了关键基础。

团队通过“协同界面调控”与高精度有机半导体图案化技术的深度融合，让制备的OTFT阵列同时兼具优异的电学性能、良好的器件均一性和超高集成密度，为有机半导体器件的高密度集成提供了全新解决方案。

在6.25×10⁴cm⁻2的高密度集成条件下，阵列仍保持优异电学性能，平均载流子迁移率达1cm2V⁻1s⁻1，且所有器件迁移率均超1cm2V⁻1s⁻1。

IV全有机AMOLED阵列成功制备，解锁柔性显示应用场景如图4所示，研究团队进一步验证了高密度OTFT有源矩阵阵列在实际系统中的应用潜力，通过将其与OLED集成，成功构筑了全有机有源矩阵AMOLED器件。

V总结本研究的核心在于建立了一套通用、可扩展的全光刻制备策略，成功突破了有机半导体图案化和大面积集成的技术瓶颈，实现了高密度OTFT有源矩阵阵列的全光刻集成。